RFP12N10L

RFP12N10L. C(in): 900pF. Kosten): 325pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Trr-Diode (Min.): 150 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. Id(imp): 30A. ID (T=100°C): 10A. ID (T=25°C): 12A. IDSS (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: F12N10L. Pd (Verlustleistung, max): 60W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.20 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 100 ns. Td(on): 15 ns. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+155°C. Spannung Vds(max): 100V. Gate/Source-Spannung Vgs: 10V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 50. Technologie: MegaFET process, Power MOSFET. Spec info: N-Channel Logic Level Power MOSFET. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 17:25.