PSMN015-100P

PSMN015-100P. C(in): 4900pF. Kosten): 390pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 80 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 240A. ID (T=100°C): 60.8A. ID (T=25°C): 75A. IDSS (max): 500uA. IDss (min): 0.05uA. Pd (Verlustleistung, max): 300W. Einschaltwiderstand Rds On: 12m Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 95 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: Verstärkungsmodus-Feldeffekttransistor . Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB ( SOT78 ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 100V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 50. Spec info: IDM--240A (Tmb 25°C; pulsed). G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 17:25.