P-Kanal-Transistor SI4431CDY-T1-GE3, SO8, MS-012, -30V. Gehäuse: SO8. Gehäuse (JEDEC-Standard): MS-012. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -30V. Anzahl der Terminals: 8:1. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 23 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1006pF. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: -5.6A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.032 Ohms @ -7A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 10 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -2.5V. Herstellerkennzeichnung: SI4431CDY-T1-GE3. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.6W. RoHS: ja. Originalprodukt vom Hersteller: Vishay (siliconix). Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 21:45