P-Kanal-Transistor SI3441BD, 2.45A, 5nA, TSOP, TSOP-6, 20V

P-Kanal-Transistor SI3441BD, 2.45A, 5nA, TSOP, TSOP-6, 20V

Menge
Stückpreis
1-4
0.31€
5-49
0.23€
50-99
0.19€
100+
0.17€
Menge auf Lager: 2713

P-Kanal-Transistor SI3441BD, 2.45A, 5nA, TSOP, TSOP-6, 20V. ID (T=25°C): 2.45A. IDSS (max): 5nA. Gehäuse: TSOP. Gehäuse (laut Datenblatt): TSOP-6. Spannung Vds(max): 20V. Anzahl der Terminals: 6. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Drain-Source-Schutz: ja. Einschaltwiderstand Rds On: 0.07 Ohms. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 8V. ID (T=100°C): 1.95A. IDss (min): 1nA. Id(imp): 16A. Kanaltyp: P. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 1nA. RoHS: ja. Td(off): 30 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Vgs(th) min.: 0.45V. Originalprodukt vom Hersteller: Vishay. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 07:30

Technische Dokumentation (PDF)
SI3441BD
26 Parameter
ID (T=25°C)
2.45A
IDSS (max)
5nA
Gehäuse
TSOP
Gehäuse (laut Datenblatt)
TSOP-6
Spannung Vds(max)
20V
Anzahl der Terminals
6
Betriebstemperatur
-55...+150°C
Drain-Source-Schutz
ja
Einschaltwiderstand Rds On
0.07 Ohms
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
8V
ID (T=100°C)
1.95A
IDss (min)
1nA
Id(imp)
16A
Kanaltyp
P
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Pd (Verlustleistung, max)
1nA
RoHS
ja
Td(off)
30 ns
Td(on)
15 ns
Technologie
TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
50 ns
Vgs(th) min.
0.45V
Originalprodukt vom Hersteller
Vishay