P-Kanal-Transistor MMBFJ177, 20mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 25V

P-Kanal-Transistor MMBFJ177, 20mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 25V

Menge
Stückpreis
1-4
0.36€
5-49
0.31€
50-99
0.27€
100-199
0.25€
200+
0.21€
Menge auf Lager: 2750

P-Kanal-Transistor MMBFJ177, 20mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 25V. IDSS (max): 20mA. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Spannung Vds(max): 25V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 2.5V. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 0.8V. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code 6Y. IDss (min): 1.5mA. IGF: 50mA. Kanaltyp: P. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 6Y. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 3000. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 225mW. RoHS: ja. Technologie: P-Channel Switch. Transistortyp: JFET. Originalprodukt vom Hersteller: ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 18:37

Technische Dokumentation (PDF)
MMBFJ177
22 Parameter
IDSS (max)
20mA
Gehäuse
SOT-23 ( TO-236 )
Gehäuse (laut Datenblatt)
SOT-23 ( TO236 )
Spannung Vds(max)
25V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+150°C
Gate/Source-Spannung (aus) max.
2.5V
Gate/Source-Spannung (aus) min.
0.8V
Hinweis
Siebdruck/SMD-Code 6Y
IDss (min)
1.5mA
IGF
50mA
Kanaltyp
P
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
6Y
Konditionierung
Rolle
Konditionierungseinheit
3000
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Pd (Verlustleistung, max)
225mW
RoHS
ja
Technologie
P-Channel Switch
Transistortyp
JFET
Originalprodukt vom Hersteller
ON Semiconductor