P-Kanal-Transistor MMBFJ175, 60mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. IDSS (max): 60mA. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Spannung Vds(max): 30 v. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 11pF. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 6V. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 3V. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code 6W. IDss (min): 7mA. IGF: 50mA. Kanaltyp: P. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 6W. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 3000. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 225mW. RoHS: ja. Technologie: P-Channel Switch. Transistortyp: JFET. Originalprodukt vom Hersteller: ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 18:37