P-Kanal-Transistor IRLML6302, SOT23
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P-Kanal-Transistor IRLML6302, SOT23. Gehäuse: SOT23. Aufladung: 2.4nC. Drain-Source-Spannung: -20V. Eigenschaften des Halbleiters: Logikebene. Gate-Source-Spannung: 12V, ±12V. Leistung: 0.54W. Montage/Installation: SMD. Polarität: unipolar. RoHS: ja. Strömung abfließen: -620mA, -0.62A. Technologie: HEXFET®. Thermischer Widerstand: 230K/W. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon (irf). Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 23:15
IRLML6302
13 Parameter
Gehäuse
SOT23
Aufladung
2.4nC
Drain-Source-Spannung
-20V
Eigenschaften des Halbleiters
Logikebene
Gate-Source-Spannung
12V, ±12V
Leistung
0.54W
Montage/Installation
SMD
Polarität
unipolar
RoHS
ja
Strömung abfließen
-620mA, -0.62A
Technologie
HEXFET®
Thermischer Widerstand
230K/W
Originalprodukt vom Hersteller
Infineon (irf)