P-Kanal-Transistor IRFU9024N, 11A, 250uA, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 55V

P-Kanal-Transistor IRFU9024N, 11A, 250uA, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 55V

Menge
Stückpreis
1-4
0.84€
5-24
0.70€
25-49
0.53€
50+
0.47€
Gleichwertigkeit vorhanden
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P-Kanal-Transistor IRFU9024N, 11A, 250uA, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 55V. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 250uA. Gehäuse: TO-251 ( I-Pak ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-251AA ( I-PAK ). Spannung Vds(max): 55V. Anzahl der Terminals: 3. C(in): 350pF. Drain-Source-Schutz: ja. Einschaltwiderstand Rds On: 0.175 Ohms. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. ID (T=100°C): 8A. IDss (min): 25uA. Id(imp): 44A. Kanaltyp: P. Kosten): 170pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 38W. RoHS: ja. Td(off): 23 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 47 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 21:11

Technische Dokumentation (PDF)
IRFU9024N
29 Parameter
ID (T=25°C)
11A
IDSS (max)
250uA
Gehäuse
TO-251 ( I-Pak )
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-251AA ( I-PAK )
Spannung Vds(max)
55V
Anzahl der Terminals
3
C(in)
350pF
Drain-Source-Schutz
ja
Einschaltwiderstand Rds On
0.175 Ohms
Funktion
Hochgeschwindigkeitsumschaltung
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
20V
ID (T=100°C)
8A
IDss (min)
25uA
Id(imp)
44A
Kanaltyp
P
Kosten)
170pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
38W
RoHS
ja
Td(off)
23 ns
Td(on)
15 ns
Technologie
HEXFET® Power MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
47 ns
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt vom Hersteller
International Rectifier

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