P-Kanal-Transistor IRFR5505, 18A, 250uA, D-PAK ( TO-252 ), D-PAK TO-252AA, 55V

P-Kanal-Transistor IRFR5505, 18A, 250uA, D-PAK ( TO-252 ), D-PAK TO-252AA, 55V

Menge
Stückpreis
1-4
1.00€
5-24
0.83€
25-49
0.72€
50-99
0.65€
100+
0.56€
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P-Kanal-Transistor IRFR5505, 18A, 250uA, D-PAK ( TO-252 ), D-PAK TO-252AA, 55V. ID (T=25°C): 18A. IDSS (max): 250uA. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D-PAK TO-252AA. Spannung Vds(max): 55V. C(in): 650pF. Drain-Source-Schutz: ja. Einschaltwiderstand Rds On: 0.11 Ohms. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: nein. ID (T=100°C): 11A. IDss (min): 25uA. Id(imp): 64A. Kanaltyp: P. Kosten): 270pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 57W. RoHS: ja. Td(off): 20 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Äquivalente: IRFR5505TRLPBF, IRFR5505TRPBF. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 02:45

Technische Dokumentation (PDF)
IRFR5505
27 Parameter
ID (T=25°C)
18A
IDSS (max)
250uA
Gehäuse
D-PAK ( TO-252 )
Gehäuse (laut Datenblatt)
D-PAK TO-252AA
Spannung Vds(max)
55V
C(in)
650pF
Drain-Source-Schutz
ja
Einschaltwiderstand Rds On
0.11 Ohms
Funktion
Hochgeschwindigkeitsumschaltung
G-S-Schutz
nein
ID (T=100°C)
11A
IDss (min)
25uA
Id(imp)
64A
Kanaltyp
P
Kosten)
270pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Pd (Verlustleistung, max)
57W
RoHS
ja
Td(off)
20 ns
Td(on)
12 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Äquivalente
IRFR5505TRLPBF, IRFR5505TRPBF
Originalprodukt vom Hersteller
International Rectifier