P-Kanal-Transistor IRFL9110PBF, SOT-223, -100V
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P-Kanal-Transistor IRFL9110PBF, SOT-223, -100V. Gehäuse: SOT-223. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -100V. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 15 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 200pF. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: -1.1A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ -0.66A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 10 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -4V. Herstellerkennzeichnung: FF. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 3.1W. RoHS: ja. Originalprodukt vom Hersteller: Vishay (ir). Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 21:22
IRFL9110PBF
16 Parameter
Gehäuse
SOT-223
Drain-Source-Spannung Uds [V]
-100V
Anzahl der Terminals
3
Ausschaltverzögerung tf[nsec.]
15 ns
Ciss-Gate-Kapazität [pF]
200pF
Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen
-1.1A
Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]
1.2 Ohms @ -0.66A
Einschaltzeit ton [nsec.]
10 ns
Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]
-4V
Herstellerkennzeichnung
FF
Komponentenfamilie
MOSFET, P-MOS
Konfiguration
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Maximale Temperatur
+150°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
3.1W
RoHS
ja
Originalprodukt vom Hersteller
Vishay (ir)