P-Kanal-Transistor IRFD9120, DIP, 0.1A, 0.1A, DH-1 house, DIP-4, 100V
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P-Kanal-Transistor IRFD9120, DIP, 0.1A, 0.1A, DH-1 house, DIP-4, 100V. Gehäuse: DIP. ID (T=25°C): 0.1A. IDSS (max): 0.1A. Gehäuse (laut Datenblatt): DH-1 house, DIP-4. Spannung Vds(max): 100V. Anzahl der Terminals: 4. Aufladung: 18nC. Drain-Source-Spannung: -100V. Einschaltwiderstand Rds On: 0.6 Ohms. Funktion: P-Kanal-MOSFET-Transistor. Gate-Source-Spannung: ±20V. Herstellerkennzeichnung: IRFD9120PBF. ID (T=100°C): 0.6A. Kanaltyp: P. Leistung: 1.3W. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Polarität: unipolar. RoHS: ja. Strömung abfließen: -1A, -0.7A. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Transistortyp: P-MOSFET. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 07:43