P-Kanal-Transistor, 0.1A, 0.1A, DIP, DH-1 house, DIP-4, 100V - IRFD9120

P-Kanal-Transistor, 0.1A, 0.1A, DIP, DH-1 house, DIP-4, 100V - IRFD9120. P-Kanal-Transistor, 0.1A, 0.1A, DIP, DH-1 house, DIP-4, 100V. ID (T=25°C): 0.1A. IDSS (max): 0.1A. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DH-1 house, DIP-4. Spannung Vds(max): 100V. Kanaltyp: P. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: FET. Funktion: P-Kanal-MOSFET-Transistor. ID (T=100°C): 0.6A. Anzahl der Terminals: 4. Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.6 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bestandsmenge aktualisiert am 20/04/2025, 03:25.