P-Kanal-Transistor, 1.8A, 500uA, DIP, DH-1 house, DIP-4, 60V - IRFD9024

P-Kanal-Transistor, 1.8A, 500uA, DIP, DH-1 house, DIP-4, 60V - IRFD9024. P-Kanal-Transistor, 1.8A, 500uA, DIP, DH-1 house, DIP-4, 60V. ID (T=25°C): 1.8A. IDSS (max): 500uA. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DH-1 house, DIP-4. Spannung Vds(max): 60V. C(in): 570pF. Kosten): 360pF. Kanaltyp: P. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 100dB. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 100 ns. Transistortyp: FET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 13A. ID (T=100°C): 1.1A. IDss (min): 100uA. Anzahl der Terminals: 4. Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.28 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 15 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 20/04/2025, 03:25.