P-Kanal-Transistor, 19A, 250uA, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V - IRF9Z34NS

P-Kanal-Transistor, 19A, 250uA, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V - IRF9Z34NS. P-Kanal-Transistor, 19A, 250uA, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V. ID (T=25°C): 19A. IDSS (max): 250uA. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-263 ). Spannung Vds(max): 55V. C(in): 620pF. Kosten): 280pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 54ms. Transistortyp: MOSFET. Funktion: P-Kanal-MOSFET-Transistor. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 68A. ID (T=100°C): 14A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 68W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.10 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 30 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 07/06/2025, 22:25.