P-Kanal-Transistor IRF9953, SO8. Gehäuse: SO8. Aufladung: 6.1nC. Drain-Source-Spannung: -30V. Gate-Source-Spannung: 20V. Leistung: 2W. Montage/Installation: SMD. Polarität: unipolar. RoHS: ja. Strömung abfließen: -2.3A. Thermischer Widerstand: 62.5K/W. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon (irf). Bestandsmenge aktualisiert am 09/09/2025, 15:10