P-Kanal-Transistor IRF9630, TO-220, 6.5A, 500uA, TO-220AB, 200V

P-Kanal-Transistor IRF9630, TO-220, 6.5A, 500uA, TO-220AB, 200V

Menge
Stückpreis
1-4
1.36€
5-24
1.16€
25-49
1.02€
50-99
0.92€
100+
0.79€
Gleichwertigkeit vorhanden
Menge auf Lager: 157

P-Kanal-Transistor IRF9630, TO-220, 6.5A, 500uA, TO-220AB, 200V. Gehäuse: TO-220. ID (T=25°C): 6.5A. IDSS (max): 500uA. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 200V. Anzahl der Terminals: 3. Aufladung: 29nC. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 700pF. Drain-Source-Schutz: ja. Drain-Source-Spannung: -200V. Einschaltwiderstand Rds On: 0.8 Ohms. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: nein. Gate-Source-Spannung: ±20V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. ID (T=100°C): 4A. IDss (min): 100uA. Id(imp): 26A. Kanaltyp: P. Konditionierung: tubus. Konditionierungseinheit: 50. Kosten): 200pF. Leistung: 74W. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 74W. Polarität: unipolar. RoHS: ja. Strömung abfließen: -6.5A, -4A. Td(off): 28 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 200 ns. Vgs(th) min.: 2V. Widerstand auf den Staat: 0.8 Ohms. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 07:43

Technische Dokumentation (PDF)
IRF9630
38 Parameter
Gehäuse
TO-220
ID (T=25°C)
6.5A
IDSS (max)
500uA
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220AB
Spannung Vds(max)
200V
Anzahl der Terminals
3
Aufladung
29nC
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
700pF
Drain-Source-Schutz
ja
Drain-Source-Spannung
-200V
Einschaltwiderstand Rds On
0.8 Ohms
Funktion
Hochgeschwindigkeitsumschaltung
G-S-Schutz
nein
Gate-Source-Spannung
±20V
Gate/Source-Spannung Vgs
20V
ID (T=100°C)
4A
IDss (min)
100uA
Id(imp)
26A
Kanaltyp
P
Konditionierung
tubus
Konditionierungseinheit
50
Kosten)
200pF
Leistung
74W
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
74W
Polarität
unipolar
RoHS
ja
Strömung abfließen
-6.5A, -4A
Td(off)
28 ns
Td(on)
12 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
200 ns
Vgs(th) min.
2V
Widerstand auf den Staat
0.8 Ohms
Originalprodukt vom Hersteller
International Rectifier

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