P-Kanal-Transistor IRF9622, 3A, 3A, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=25°C): 3A. IDSS (max): 3A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 200V. Einschaltwiderstand Rds On: 2.4 Ohms. Funktion: P-Kanal-MOSFET-Transistor. ID (T=100°C): 1.5A. Kanaltyp: P. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Originalprodukt vom Hersteller: Harris. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 07:43