P-Kanal-Transistor IRF9620, 3.5A, 500uA, TO-220, TO-220AB, 200V

P-Kanal-Transistor IRF9620, 3.5A, 500uA, TO-220, TO-220AB, 200V

Menge
Stückpreis
1-4
1.30€
5-24
1.12€
25-49
1.01€
50-99
0.92€
100+
0.78€
Menge auf Lager: 39

P-Kanal-Transistor IRF9620, 3.5A, 500uA, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=25°C): 3.5A. IDSS (max): 500uA. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 200V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 350pF. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Einschaltwiderstand Rds On: 1.5 Ohms. Funktion: P-Kanal-MOSFET-Transistor. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. ID (T=100°C): 2A. IDss (min): 100uA. Id(imp): 14A. Kanaltyp: P. Kosten): 100pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 40W. RoHS: ja. Spec info: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Td(off): 20 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 300 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 07:43

Technische Dokumentation (PDF)
IRF9620
31 Parameter
ID (T=25°C)
3.5A
IDSS (max)
500uA
Gehäuse
TO-220
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220AB
Spannung Vds(max)
200V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
350pF
Drain-Source-Schutz
Zenerdiode
Einschaltwiderstand Rds On
1.5 Ohms
Funktion
P-Kanal-MOSFET-Transistor
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
20V
ID (T=100°C)
2A
IDss (min)
100uA
Id(imp)
14A
Kanaltyp
P
Kosten)
100pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
40W
RoHS
ja
Spec info
Hochgeschwindigkeitsumschaltung
Td(off)
20 ns
Td(on)
15 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
300 ns
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt vom Hersteller
International Rectifier