P-Kanal-Transistor IRF9610PBF, TO-220AB, -200V, 1.8A, -200V. Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung (Vds): -200V. Maximaler Drainstrom: 1.8A. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -200V. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 10 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 170pF. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: -1.8A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3 Ohms @ -0.9A. Einschaltwiderstand Rds On: 3 Ohms. Einschaltzeit ton [nsec.]: 8 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -4V. Herstellerkennzeichnung: IRF9610PBF. Kanaltyp: P. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Leistung: 20W. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 20W. RoHS: ja. Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Originalprodukt vom Hersteller: Vishay (ir). Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 15:06