P-Kanal-Transistor IRF9610, TO-220, 1.8A, 500uA, TO-220AB, 200V

P-Kanal-Transistor IRF9610, TO-220, 1.8A, 500uA, TO-220AB, 200V

Menge
Stückpreis
1-4
1.08€
5-24
0.92€
25-49
0.80€
50-99
0.72€
100+
0.61€
Menge auf Lager: 181

P-Kanal-Transistor IRF9610, TO-220, 1.8A, 500uA, TO-220AB, 200V. Gehäuse: TO-220. ID (T=25°C): 1.8A. IDSS (max): 500uA. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 200V. Anzahl der Terminals: 3. Aufladung: 11nC. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 170pF. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Drain-Source-Spannung: -200V. Einschaltwiderstand Rds On: 3 Ohms. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: nein. Gate-Source-Spannung: ±20V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Herstellerkennzeichnung: IRF9610PBF. ID (T=100°C): 1A. IDss (min): 100uA. Id(imp): 7A. Kanaltyp: P. Konditionierung: tubus. Kosten): 50pF. Leistung: 20W. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 20W. Polarität: unipolar. RoHS: ja. Strömung abfließen: -1A, -1.75A. Td(off): 10 ns. Td(on): 8 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 240 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Widerstand auf den Staat: 3 Ohms. Originalprodukt vom Hersteller: Vishay. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 07:43

Technische Dokumentation (PDF)
IRF9610
39 Parameter
Gehäuse
TO-220
ID (T=25°C)
1.8A
IDSS (max)
500uA
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220AB
Spannung Vds(max)
200V
Anzahl der Terminals
3
Aufladung
11nC
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
170pF
Drain-Source-Schutz
Zenerdiode
Drain-Source-Spannung
-200V
Einschaltwiderstand Rds On
3 Ohms
Funktion
Hochgeschwindigkeitsumschaltung
G-S-Schutz
nein
Gate-Source-Spannung
±20V
Gate/Source-Spannung Vgs
20V
Herstellerkennzeichnung
IRF9610PBF
ID (T=100°C)
1A
IDss (min)
100uA
Id(imp)
7A
Kanaltyp
P
Konditionierung
tubus
Kosten)
50pF
Leistung
20W
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
20W
Polarität
unipolar
RoHS
ja
Strömung abfließen
-1A, -1.75A
Td(off)
10 ns
Td(on)
8 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
240 ns
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Widerstand auf den Staat
3 Ohms
Originalprodukt vom Hersteller
Vishay