P-Kanal-Transistor IRF9540N, TO-220, 23A, 250uA, TO-220AB, 100V. Gehäuse: TO-220. ID (T=25°C): 23A. IDSS (max): 250uA. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 100V. Anzahl der Terminals: 3. Aufladung: 64.7nC. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 1300pF. Drain-Source-Schutz: ja. Drain-Source-Spannung: -100V. Einschaltwiderstand Rds On: 0.117 Ohms. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: nein. Gate-Source-Spannung: 20V, ±20V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Gehäuse thermischer Widerstand: 1.1K/W. ID (T=100°C): 16A. IDss (min): 25uA. Id(imp): 76A. Kanaltyp: P. Konditionierung: tubus. Kosten): 400pF. Leistung: 140W. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 140W. Polarität: unipolar. RoHS: ja. Strömung abfließen: -23A. Td(off): 51 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 150 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 07:43