P-Kanal-Transistor IRF9530NPBF, TO220AB, -100V, 14A, -100V

P-Kanal-Transistor IRF9530NPBF, TO220AB, -100V, 14A, -100V

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P-Kanal-Transistor IRF9530NPBF, TO220AB, -100V, 14A, -100V. Gehäuse: TO220AB. Drain-Source-Spannung (Vds): -100V. Maximaler Drainstrom: 14A. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -100V. Antriebsspannung: 10V. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 45 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 760pF. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: -14A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ -8.4A. Eigenschaften: -. Einschaltwiderstand Rds On: 0.4 Ohms. Einschaltzeit ton [nsec.]: 15 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -4V. Gate/Source-Spannung Vgs max: -20V. Herstellerkennzeichnung: IRF9530. Id bei Tc=25°C (kontinuierlicher Drainstrom): 14A. Information: -. Kanaltyp: P. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Leistung: 75W. MSL: -. Maximale Temperatur: +175°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 79W. Montageart: THT. Pd (Verlustleistung, max): 79W. Polarität: MOSFET P. RoHS: ja. Serie: -. Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Vdss (Drain-Source-Spannung): -100V. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 16:06

Technische Dokumentation (PDF)
IRF9530NPBF
29 Parameter
Gehäuse
TO220AB
Drain-Source-Spannung (Vds)
-100V
Maximaler Drainstrom
14A
Drain-Source-Spannung Uds [V]
-100V
Antriebsspannung
10V
Anzahl der Terminals
3
Ausschaltverzögerung tf[nsec.]
45 ns
Ciss-Gate-Kapazität [pF]
760pF
Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen
-14A
Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.2 Ohms @ -8.4A
Einschaltwiderstand Rds On
0.4 Ohms
Einschaltzeit ton [nsec.]
15 ns
Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]
-4V
Gate/Source-Spannung Vgs max
-20V
Herstellerkennzeichnung
IRF9530
Id bei Tc=25°C (kontinuierlicher Drainstrom)
14A
Kanaltyp
P
Komponentenfamilie
MOSFET, P-MOS
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Leistung
75W
Maximale Temperatur
+175°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
79W
Montageart
THT
Pd (Verlustleistung, max)
79W
Polarität
MOSFET P
RoHS
ja
Transistortyp
MOSFET-Leistungstransistor
Vdss (Drain-Source-Spannung)
-100V
Originalprodukt vom Hersteller
International Rectifier