P-Kanal-Transistor IRF9530, TO-220, 12A, 500uA, TO-220AB, 100V. Gehäuse: TO-220. ID (T=25°C): 12A. IDSS (max): 500uA. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 100V. Anzahl der Terminals: 3. Aufladung: 38.7nC. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 860pF. Drain-Source-Schutz: ja. Drain-Source-Spannung: -100V. Einschaltwiderstand Rds On: 0.3 Ohms. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: nein. Gate-Source-Spannung: 20V, ±20V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Gehäuse thermischer Widerstand: 1.9K/W. ID (T=100°C): 8.2A. IDss (min): 100uA. Id(imp): 48A. Kanaltyp: P. Konditionierung: tubus. Kosten): 340pF. Leistung: 79W. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 88W. Polarität: unipolar. RoHS: ja. Strömung abfließen: -14A. Td(off): 39 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 120ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 07:43