P-Kanal-Transistor IRF7416, 10A, 25uA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 10A. IDSS (max): 25uA. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 30 v. Anzahl der Terminals: 8:1. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 1700pF. Drain-Source-Schutz: ja. Einschaltwiderstand Rds On: 0.02 Ohms. Funktion: Ultra Low On-Resistance. G-S-Schutz: nein. ID (T=100°C): 7.1A. IDss (min): 1uA. Id(imp): 45A. Kanaltyp: P. Kosten): 890pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 2.5W. Td(off): 59 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 56 ns. Vgs(th) max.: 2.04V. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 07:43