P-Kanal-Transistor IRF7342, SO, SO-8. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Anzahl der Terminals: 8:1. Aufladung: 26nC. Drain-Source-Spannung: -55V. Funktion: IDM--27Ap. Gate-Source-Spannung: 20V, ±20V. Kanaltyp: P. Leistung: 2W. Menge pro Karton: 2. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 2W. Polarität: unipolar. RoHS: ja. Strömung abfließen: -3.4A. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Thermischer Widerstand: 62.5K/W. Äquivalente: IRF7342PBF. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 07:43