P-Kanal-Transistor IRF7204, SO8
Menge
Stückpreis
1-4
1.37€
5-9
0.86€
10-19
0.71€
20-49
0.64€
50+
0.58€
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P-Kanal-Transistor IRF7204, SO8. Gehäuse: SO8. Aufladung: 25nC. Drain-Source-Spannung: -20V. Gate-Source-Spannung: 12V, ±12V. Leistung: 2.5W. Montage/Installation: SMD. Polarität: unipolar. RoHS: ja. Strömung abfließen: -5.3A. Technologie: HEXFET®. Thermischer Widerstand: 50K/W. Transistortyp: P-MOSFET, HEXFET. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon (irf). Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 22:22
IRF7204
13 Parameter
Gehäuse
SO8
Aufladung
25nC
Drain-Source-Spannung
-20V
Gate-Source-Spannung
12V, ±12V
Leistung
2.5W
Montage/Installation
SMD
Polarität
unipolar
RoHS
ja
Strömung abfließen
-5.3A
Technologie
HEXFET®
Thermischer Widerstand
50K/W
Transistortyp
P-MOSFET, HEXFET
Originalprodukt vom Hersteller
Infineon (irf)