P-Kanal-Transistor IRF6215SPBF, 13A, 250uA, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 150V

P-Kanal-Transistor IRF6215SPBF, 13A, 250uA, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 150V

Menge
Stückpreis
1-4
1.73€
5-24
1.43€
25-49
1.29€
50+
1.17€
Menge auf Lager: 33

P-Kanal-Transistor IRF6215SPBF, 13A, 250uA, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 150V. ID (T=25°C): 13A. IDSS (max): 250uA. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-263 ). Spannung Vds(max): 150V. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 860pF. Drain-Source-Schutz: ja. Einschaltwiderstand Rds On: 0.29 Ohms. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. ID (T=100°C): 9A. IDss (min): 25uA. Id(imp): 44A. Kanaltyp: P. Kosten): 220pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 110W. RoHS: ja. Td(off): 53 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 160 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 23:08

Technische Dokumentation (PDF)
IRF6215SPBF
30 Parameter
ID (T=25°C)
13A
IDSS (max)
250uA
Gehäuse
D2PAK ( TO-263 )
Gehäuse (laut Datenblatt)
D2PAK ( TO-263 )
Spannung Vds(max)
150V
Anzahl der Terminals
2
Betriebstemperatur
-55...+175°C
C(in)
860pF
Drain-Source-Schutz
ja
Einschaltwiderstand Rds On
0.29 Ohms
Funktion
Hochgeschwindigkeitsumschaltung
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
20V
ID (T=100°C)
9A
IDss (min)
25uA
Id(imp)
44A
Kanaltyp
P
Kosten)
220pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Pd (Verlustleistung, max)
110W
RoHS
ja
Td(off)
53 ns
Td(on)
14 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
160 ns
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt vom Hersteller
International Rectifier