P-Kanal-Transistor IRF5210S, 38A, 250uA, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 100V. ID (T=25°C): 38A. IDSS (max): 250uA. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-263 ). Spannung Vds(max): 100V. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 2860pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. ID (T=100°C): 24A. IDss (min): 50uA. Id(imp): 140A. Kanaltyp: P. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: F5210S. Kosten): 800pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 3.8W. Td(off): 72 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 170 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 23:00