P-Kanal-Transistor IRF4905SPBF, D2PAK ( TO-263 ), TO-263, -55V, 70A, 250uA, D2PAK ( TO-263 ), 55V. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-263. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -55V. ID (T=25°C): 70A. IDSS (max): 250uA. Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-263 ). Spannung Vds(max): 55V. Anzahl der Terminals: 2. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 51 ns. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 3400pF. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 3500pF. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: -64A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.02 Ohms @ -38A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.02 Ohms. Einschaltzeit ton [nsec.]: 20 ns. Funktion: Schnelles Schalten, extrem niedriger Einschaltwiderstand. G-S-Schutz: nein. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -4V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Herstellerkennzeichnung: F4905S. ID (T=100°C): 42A. IDss (min): 25uA. Id(imp): 260A. Kanaltyp: P. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Kosten): 1400pF. Maximale Temperatur: +175°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 150W. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 200W. RoHS: ja. Td(off): 61 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 89 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 23:00