P-Kanal-Transistor FDS6675BZ, SO, -30V, 11A, 1uA, SO-8, 30 v. Gehäuse: SO. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -30V. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 1uA. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 30 v. Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Terminals: 8:1. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 200 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 1855pF. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 2470pF. Drain-Source-Schutz: ja. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: -11A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.013 Ohms @ -11A. Einschaltwiderstand Rds On: 17.4m Ohms. Einschaltzeit ton [nsec.]: 10 ns. Funktion: Erweiterter VGS-Bereich (-25 V) für batteriebetriebene Anwendungen. G-S-Schutz: ja. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -3V. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Herstellerkennzeichnung: -. ID (T=100°C): n/a. IDss (min): n/a. Id(imp): 55A. Kanaltyp: P. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Kosten): 355pF. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2.5W. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 2.5W. RoHS: ja. Spec info: FDS6675BZ. Td(off): 120ns. Td(on): 3 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 42 ns. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt vom Hersteller: Fairchild. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 23:00