P-Kanal-Transistor, 8.8A, 1uA, SO, SO-8, 30 v - FDS4435BZ

P-Kanal-Transistor, 8.8A, 1uA, SO, SO-8, 30 v - FDS4435BZ. P-Kanal-Transistor, 8.8A, 1uA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 8.8A. IDSS (max): 1uA. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 30 v. C(in): 1385pF. Kosten): 275pF. Kanaltyp: P. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 29 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Batterieladeregler. Id(imp): 50A. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2.5W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.016 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 30 ns. Td(on): 10 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Technologie: P-Kanal. Spec info: HBM ESD-Schutzart von 3,8 kV. Drain-Source-Schutz: NINCS. G-S-Schutz: ja. Bestandsmenge aktualisiert am 20/04/2025, 01:25.