P-Kanal-Transistor FDS4435A, 9A, 10uA, SO, SO-8, 30 v

P-Kanal-Transistor FDS4435A, 9A, 10uA, SO, SO-8, 30 v

Menge
Stückpreis
1-4
1.13€
5-49
0.93€
50-99
0.79€
100+
0.67€
Menge auf Lager: 52

P-Kanal-Transistor FDS4435A, 9A, 10uA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 9A. IDSS (max): 10uA. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 30 v. Anzahl der Terminals: 8:1. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 2010pF. Drain-Source-Schutz: ja. Einschaltwiderstand Rds On: 0.015 Ohms. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 1uA. Id(imp): 50A. Kanaltyp: P. Kosten): 590pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 2.5W. RoHS: ja. Td(off): 100 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: P-Kanal. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 36ns. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt vom Hersteller: Fairchild. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 23:00

Technische Dokumentation (PDF)
FDS4435A
28 Parameter
ID (T=25°C)
9A
IDSS (max)
10uA
Gehäuse
SO
Gehäuse (laut Datenblatt)
SO-8
Spannung Vds(max)
30 v
Anzahl der Terminals
8:1
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
2010pF
Drain-Source-Schutz
ja
Einschaltwiderstand Rds On
0.015 Ohms
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
20V
IDss (min)
1uA
Id(imp)
50A
Kanaltyp
P
Kosten)
590pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Pd (Verlustleistung, max)
2.5W
RoHS
ja
Td(off)
100 ns
Td(on)
12 ns
Technologie
P-Kanal
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
36ns
Vgs(th) max.
2V
Vgs(th) min.
1V
Originalprodukt vom Hersteller
Fairchild