P-Kanal-Transistor FDN358P, SOT-23 ( TO-236 ), -30V, 1.5A, 10uA, SOT-23, 30 v. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -30V. ID (T=25°C): 1.5A. IDSS: 10uA. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23. Spannung Vds(max): 30 v. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 21 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 182pF. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 182pF. Drain-Source-Schutz: ja. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: -1.5A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ -1.2A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.105 Ohms. Einschaltzeit ton [nsec.]: 10 ns. Funktion: Single P-Channel, Logic Level. G-S-Schutz: nein. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -3V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Herstellerkennzeichnung: 358. IDss (min): 1uA. Id(imp): 5A. Kanaltyp: P. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 358. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 3000. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Kosten): 56pF. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.5W. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. RoHS: ja. Technologie: PowerTrench MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt vom Hersteller: Fairchild. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 23:00