P-Kanal-Transistor, 1.5A, 10uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 30 v - FDN358P

P-Kanal-Transistor, 1.5A, 10uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 30 v - FDN358P. P-Kanal-Transistor, 1.5A, 10uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 30 v. ID (T=25°C): 1.5A. IDSS: 10uA. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23. Spannung Vds(max): 30 v. C(in): 182pF. Kosten): 56pF. Kanaltyp: P. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 3000. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Single P-Channel, Logic Level. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 5A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 358. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.105 Ohms. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: PowerTrench MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt vom Hersteller Onsemi (fairchild). Bestandsmenge aktualisiert am 07/06/2025, 12:25.