P-Kanal-Transistor ECX10P20, 8A, 10mA, TO-247, TO-247, 200V

P-Kanal-Transistor ECX10P20, 8A, 10mA, TO-247, TO-247, 200V

Menge
Stückpreis
1-9
10.74€
10-29
9.96€
30-59
9.58€
60-119
9.30€
120+
8.77€
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P-Kanal-Transistor ECX10P20, 8A, 10mA, TO-247, TO-247, 200V. ID (T=25°C): 8A. IDSS (max): 10mA. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Spannung Vds(max): 200V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 500pF. Drain-Source-Schutz: nein. Funktion: AUDIO-LEISTUNGSVERSTÄRKER MOSFET. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 1.5V. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 0.15V. Gate/Source-Spannung Vgs: 14V. Kanaltyp: P. Kosten): 300pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Pinbelegung: 1 - G, 2 - S, 3 - D. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) ECX10N20. Td(off): 50 ns. Td(on): 100 ns. Technologie: P-Kanal-MOSFET-Leistungstransistor. Transistortyp: MOSFET. Verschiedenes: HI-FI-Leistungsverstärker. Originalprodukt vom Hersteller: Exicon. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 13:03

Technische Dokumentation (PDF)
ECX10P20
28 Parameter
ID (T=25°C)
8A
IDSS (max)
10mA
Gehäuse
TO-247
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-247
Spannung Vds(max)
200V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
500pF
Drain-Source-Schutz
nein
Funktion
AUDIO-LEISTUNGSVERSTÄRKER MOSFET
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung (aus) max.
1.5V
Gate/Source-Spannung (aus) min.
0.15V
Gate/Source-Spannung Vgs
14V
Kanaltyp
P
Kosten)
300pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
125W
Pinbelegung
1 - G, 2 - S, 3 - D
RoHS
ja
Spec info
Komplementärtransistor (Paar) ECX10N20
Td(off)
50 ns
Td(on)
100 ns
Technologie
P-Kanal-MOSFET-Leistungstransistor
Transistortyp
MOSFET
Verschiedenes
HI-FI-Leistungsverstärker
Originalprodukt vom Hersteller
Exicon