P-Kanal-Transistor ECW20P20, 16A, 10mA, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 200V

P-Kanal-Transistor ECW20P20, 16A, 10mA, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 200V

Menge
Stückpreis
1-4
22.73€
5-9
20.66€
10-24
19.13€
25-49
18.22€
50+
17.16€
Veraltetes Produkt, wird bald aus dem Katalog entfernt
Ausverkauft

P-Kanal-Transistor ECW20P20, 16A, 10mA, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 200V. ID (T=25°C): 16A. IDSS (max): 10mA. Gehäuse: TO-264 ( TOP-3L ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-264. Spannung Vds(max): 200V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 1850pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: AUDIO-LEISTUNGSVERSTÄRKER MOSFET. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 1.5V. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 0.1V. Gate/Source-Spannung Vgs: 14V. Kanaltyp: P. Kosten): 850pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 250W. Pinbelegung: 1 - G, 2 - S, 3 - D. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) ECW20N20. Td(off): 105 ns. Td(on): 150 ns. Technologie: P-Kanal-MOSFET-Leistungstransistor. Transistortyp: MOSFET. Verschiedenes: HI-FI-Leistungsverstärker. Originalprodukt vom Hersteller: Exicon. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 13:03

Technische Dokumentation (PDF)
ECW20P20
28 Parameter
ID (T=25°C)
16A
IDSS (max)
10mA
Gehäuse
TO-264 ( TOP-3L )
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-264
Spannung Vds(max)
200V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
1850pF
Drain-Source-Schutz
ja
Funktion
AUDIO-LEISTUNGSVERSTÄRKER MOSFET
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung (aus) max.
1.5V
Gate/Source-Spannung (aus) min.
0.1V
Gate/Source-Spannung Vgs
14V
Kanaltyp
P
Kosten)
850pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
250W
Pinbelegung
1 - G, 2 - S, 3 - D
RoHS
ja
Spec info
Komplementärtransistor (Paar) ECW20N20
Td(off)
105 ns
Td(on)
150 ns
Technologie
P-Kanal-MOSFET-Leistungstransistor
Transistortyp
MOSFET
Verschiedenes
HI-FI-Leistungsverstärker
Originalprodukt vom Hersteller
Exicon