P-Kanal-Transistor BSS84AK, SOT-23, TO-236AB, -50V

P-Kanal-Transistor BSS84AK, SOT-23, TO-236AB, -50V

Menge
Stückpreis
1-99
0.34€
100-999
0.18€
1000-2999
0.15€
3000+
0.13€
Menge auf Lager: 5000

P-Kanal-Transistor BSS84AK, SOT-23, TO-236AB, -50V. Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -50V. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 48 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 36pF. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: -0.18A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 4.5 Ohms @ -0.1A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 13 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -2.1V. Herstellerkennzeichnung: VS. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.35W. RoHS: ja. Originalprodukt vom Hersteller: Nexperia. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 20:56

Technische Dokumentation (PDF)
BSS84AK
17 Parameter
Gehäuse
SOT-23
Gehäuse (JEDEC-Standard)
TO-236AB
Drain-Source-Spannung Uds [V]
-50V
Anzahl der Terminals
3
Ausschaltverzögerung tf[nsec.]
48 ns
Ciss-Gate-Kapazität [pF]
36pF
Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen
-0.18A
Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]
4.5 Ohms @ -0.1A
Einschaltzeit ton [nsec.]
13 ns
Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]
-2.1V
Herstellerkennzeichnung
VS
Komponentenfamilie
MOSFET, P-MOS
Konfiguration
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Maximale Temperatur
+150°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
0.35W
RoHS
ja
Originalprodukt vom Hersteller
Nexperia