P-Kanal-Transistor, 130mA, 46.4k Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V - BSS84

P-Kanal-Transistor, 130mA, 46.4k Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V - BSS84. P-Kanal-Transistor, 130mA, 46.4k Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. ID (T=25°C): 130mA. IDSS (max): 46.4k Ohms. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Spannung Vds(max): 50V. C(in): 25pF. Kosten): 15pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Direct interface to C-MOS, TTL, etc. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 520mA. ID (T=100°C): 75mA. IDss (min): 10uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 11W. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.25W. Einschaltwiderstand Rds On: 6 Ohms. RoHS: ja. Spec info: Siebdruck/SMD-Code 11W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 7 ns. Td(on): 3 ns. Technologie: „Vertikaler D-MOS-Transistor im Erweiterungsmodus“. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 0.8V. Originalprodukt vom Hersteller Yangjie Electronic Technology. Bestandsmenge aktualisiert am 25/07/2025, 17:25.