P-Kanal-Transistor BS250FTA, SOT-23, -45V

P-Kanal-Transistor BS250FTA, SOT-23, -45V

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P-Kanal-Transistor BS250FTA, SOT-23, -45V. Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -45V. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 10 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 25pF. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: -0.09A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 9 Ohms @ -0.2A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 10 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -3.5V. Herstellerkennzeichnung: MX. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.33W. RoHS: ja. Originalprodukt vom Hersteller: Diodes Zetex. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 21:45

Technische Dokumentation (PDF)
BS250FTA
16 Parameter
Gehäuse
SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds [V]
-45V
Anzahl der Terminals
3
Ausschaltverzögerung tf[nsec.]
10 ns
Ciss-Gate-Kapazität [pF]
25pF
Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen
-0.09A
Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]
9 Ohms @ -0.2A
Einschaltzeit ton [nsec.]
10 ns
Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]
-3.5V
Herstellerkennzeichnung
MX
Komponentenfamilie
MOSFET, P-MOS
Konfiguration
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Maximale Temperatur
+150°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
0.33W
RoHS
ja
Originalprodukt vom Hersteller
Diodes Zetex