Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
---|---|---|
1 - 4 | 1.38€ | 1.64€ |
5 - 9 | 1.31€ | 1.56€ |
10 - 24 | 1.24€ | 1.48€ |
25 - 49 | 1.17€ | 1.39€ |
50 - 99 | 1.14€ | 1.36€ |
100 - 143 | 1.12€ | 1.33€ |
Menge | U.P | |
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1 - 4 | 1.38€ | 1.64€ |
5 - 9 | 1.31€ | 1.56€ |
10 - 24 | 1.24€ | 1.48€ |
25 - 49 | 1.17€ | 1.39€ |
50 - 99 | 1.14€ | 1.36€ |
100 - 143 | 1.12€ | 1.33€ |
P-Kanal-Transistor, 85A, 5uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v - AOD403. P-Kanal-Transistor, 85A, 5uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. ID (T=25°C): 85A. IDSS (max): 5uA. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spannung Vds(max): 30 v. C(in): 4360pF. Kosten): 1050pF. Kanaltyp: P. Konditionierung: Rolle. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 39.5 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 200A. ID (T=100°C): 65A. IDss (min): 0.01uA. Pd (Verlustleistung, max): 100W. Einschaltwiderstand Rds On: 5.1M Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 51 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: „Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor“. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 1.5V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 2500. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 19/04/2025, 22:25.
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