P-Kanal-Transistor AO4427, 12.5A, 5uA, SO, SO-8, 30 v

P-Kanal-Transistor AO4427, 12.5A, 5uA, SO, SO-8, 30 v

Menge
Stückpreis
1-4
0.89€
5-49
0.71€
50-99
0.60€
100+
0.53€
Menge auf Lager: 337

P-Kanal-Transistor AO4427, 12.5A, 5uA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 12.5A. IDSS (max): 5uA. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 30 v. Anzahl der Terminals: 8:1. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 2330pF. Drain-Source-Schutz: Diode. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0094 Ohms. Funktion: Schalt- oder PWM-Anwendungen. G-S-Schutz: ja. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. ID (T=100°C): 10.5A. IDss (min): 1uA. Id(imp): 60A. Kanaltyp: P. Kosten): 480pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 3W. RoHS: ja. Td(off): 49.5 ns. Td(on): 12.8 ns. Technologie: „Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor“. Transistortyp: FET. Trr-Diode (Min.): 28 ns. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1.7V. Originalprodukt vom Hersteller: Alpha & Omega Semiconductors. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 09:52

Technische Dokumentation (PDF)
AO4427
30 Parameter
ID (T=25°C)
12.5A
IDSS (max)
5uA
Gehäuse
SO
Gehäuse (laut Datenblatt)
SO-8
Spannung Vds(max)
30 v
Anzahl der Terminals
8:1
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
2330pF
Drain-Source-Schutz
Diode
Einschaltwiderstand Rds On
0.0094 Ohms
Funktion
Schalt- oder PWM-Anwendungen
G-S-Schutz
ja
Gate/Source-Spannung Vgs
25V
ID (T=100°C)
10.5A
IDss (min)
1uA
Id(imp)
60A
Kanaltyp
P
Kosten)
480pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Pd (Verlustleistung, max)
3W
RoHS
ja
Td(off)
49.5 ns
Td(on)
12.8 ns
Technologie
„Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor“
Transistortyp
FET
Trr-Diode (Min.)
28 ns
Vgs(th) max.
3V
Vgs(th) min.
1.7V
Originalprodukt vom Hersteller
Alpha & Omega Semiconductors