P-Kanal-Transistor AO4407A, SO, 9.2A, 50uA, SO-8, 30 v. Gehäuse: SO. ID (T=25°C): 9.2A. IDSS (max): 50uA. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 30 v. Anzahl der Ausgänge: 1. Anzahl der Terminals: 8:1. Aufladung: 30nC. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 2060pF. Drain-Source-Schutz: ja. Drain-Source-Spannung: -30V. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0085 Ohms. G-S-Schutz: nein. Gate-Source-Spannung: ±25V. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code 4407A. ID (T=100°C): 7.4A. IDss (min): 10uA. Id(imp): 60A. Kanaltyp: P. Kosten): 370pF. Leistung: 2W. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 1.7W. Polarität: unipolar. RoHS: ja. Strömung abfließen: -12A, -10A. Td(off): 24 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: „Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor“. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 30 ns. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1.7V. Originalprodukt vom Hersteller: Alpha & Omega Semiconductors. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 09:52