P-Kanal-Transistor 2SJ598, 12A, 12A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 60V. ID (T=25°C): 12A. IDSS (max): 12A. Gehäuse: TO-251 ( I-Pak ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-251 ( I-Pak ). Spannung Vds(max): 60V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 720pF. Drain-Source-Schutz: Diode. Einschaltwiderstand Rds On: 0.13 Ohms. Funktion: integrierte Schutzdiode. G-S-Schutz: ja. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Id(imp): 30A. Kanaltyp: P. Kosten): 150pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 23W. Td(off): 35 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: P-Kanal-MOS-Feldeffekttransistor. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Originalprodukt vom Hersteller: Nec. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 20:26