P-Kanal-Transistor, 12A, 12A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 60V - 2SJ598

P-Kanal-Transistor, 12A, 12A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 60V - 2SJ598. P-Kanal-Transistor, 12A, 12A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 60V. ID (T=25°C): 12A. IDSS (max): 12A. Gehäuse: TO-251 ( I-Pak ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-251 ( I-Pak ). Spannung Vds(max): 60V. C(in): 720pF. Kosten): 150pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: integrierte Schutzdiode. G-S-Schutz: ja. Id(imp): 30A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 23W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.13 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 35 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: P-Kanal-MOS-Feldeffekttransistor. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Originalprodukt vom Hersteller Nec. Bestandsmenge aktualisiert am 06/06/2025, 23:25.