P-Kanal-Transistor 2SJ584, 4.5A, 100uA, TO-220FP, TO-220FP, 250V. ID (T=25°C): 4.5A. IDSS (max): 100uA. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Spannung Vds(max): 250V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 450pF. Drain-Source-Schutz: Diode. Einschaltwiderstand Rds On: 0.95 Ohms. Funktion: Ultrahigh-Speed Switching, IDP 18App/10us. G-S-Schutz: ja. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Id(imp): 18A. Kanaltyp: P. Kosten): 120pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 25W. Td(off): 52 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: Silizium-MOSFET-Transistor. Transistortyp: MOSFET. Originalprodukt vom Hersteller: Sanyo. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 20:26