P-Kanal-Transistor 2SJ512, 5A, 5A, TO-220FP, TO-220FP, 250V. ID (T=25°C): 5A. IDSS (max): 5A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Spannung Vds(max): 250V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 800pF. Drain-Source-Schutz: Diode. Einschaltwiderstand Rds On: 1 Ohm. Funktion: „Enhancement Mode Low Drain-Source On Resistance“. G-S-Schutz: ja. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Id(imp): 20A. Kanaltyp: P. Kosten): 250pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 30W. Td(off): 70 ns. Td(on): 35 ns. Technologie: Silicon P Chanel Mos Fet. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 205 ns. Originalprodukt vom Hersteller: Toshiba. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 20:26