Optokoppler

Ausgang: Transistorausgang. Teilung: 7.62mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-6. Anzahl der Terminals: 6. VRRM: 4300V. CTR: CRT 40-80%

CTR: 63...125 %. Diode IF: 60mA. Diodenleistung: 0.1W. Diodenschwellenspannung: 1.39...1.65V. Funktion: OCTOCOUPLER DC-IN 1-CH TRANSISTOR DC-OUT NON MPQ. Kollektorstrom: 50mA. Ic(Impuls): 100mA. Ausgang: Transistorausgang. Teilung: 2.54mm. RoHS: ja. Teilung: 7.62mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-6. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 70V. Vrms: 5300V. Anzahl der Terminals: 6. Courant ZF-Diode (Spitze): 2.5A, (t < 10us)

CTR: 63...125 %. Ausgang: Transistorausgang. Teilung: 10.16mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-6. VRRM: 5300V. Anzahl der Terminals: 6

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP6. Gehäuse (JEDEC-Standard): 1.25V. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 6. Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: NPN-Transistor. Isolationsspannung Uiso [kV]: 5 kV. Rate: 100 %. Nenneingangsstrom (mA): 10mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 4.3us. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 23us. Maximale Ausgangsspannung (V): 70V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +110°C. Optokopplertyp: Allzweck-Optokoppler

CTR: 100...200 %. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: CNY17F-3. Ausgang: Transistorausgang. Teilung: 2.54mm. RoHS: ja. Teilung: 10.16mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-6. Vrms: 5300V. Anzahl der Terminals: 6

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP6 400 mil. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 6. Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: NPN-Transistor. Isolationsspannung Uiso [kV]: 5 kV. Rate: 100 %. Nenneingangsstrom (mA): 10mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 4.3us. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 23us. Maximale Ausgangsspannung (V): 70V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +110°C. Optokopplertyp: Allzweck-Optokoppler

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP14/4 400 mil. Gehäuse (JEDEC-Standard): 1.25V. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: NPN-Transistor. Isolationsspannung Uiso [kV]: 8.2 kV. Rate: 50 %. Nenneingangsstrom (mA): 10mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 25us. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 42us. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 32V. VECO: 7V. VRRM: 8200V. Maximale Ausgangsspannung (V): 32V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C. Optokopplertyp: Optokoppler, Hochspannung

CTR: 50...300 %. Ausgang: Transistorausgang. Teilung: 7.62mm. Teilung: 15.24mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-4 HV. Vrms: 8200V. Anzahl der Terminals: 4

CTR: 50...600 %. Diode IF: 60mA. Courant ZF-Diode (Spitze): 1.5A. Diodenleistung: 0.1W. Diodenschwellenspannung: 1.25V. Ausgang: Transistorausgang. Anzahl der Terminals: 8:1. Teilung: 2.54mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf (Typ): 4.7us. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Tr: 3us. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 70V. VECO: 7V. Vrms: 5000V. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP16. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 16. Anzahl der Kreise: 4. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: NPN-Transistor. Isolationsspannung Uiso [kV]: 5.3 kV. Rate: 50 %. Nenneingangsstrom (mA): 5mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 9us. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 18us. Maximale Ausgangsspannung (V): 70V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C. Optokopplertyp: Quad-Optokoppler, universell einsetzbar. Gehäuse (JEDEC-Standard): 16

CTR: 63...125 %. Diode IF: 60mA. Courant ZF-Diode (Spitze): 3A. Diodenleistung: 70mW. Diodenschwellenspannung: 1.25V. Kollektorstrom: 50mA. Ic(Impuls): 100mA. Ausgang: Transistorausgang mit Basis. Teilung: 2.54mm. Pd (Verlustleistung, max): 70mW. RoHS: ja. Teilung: 7.62mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf (Typ): 2.7us. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-6. Tr: 2us. Betriebstemperatur: -55...+110°C. VCBO: 70V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 70V. VECO: 7V. VRRM: 6000V. Anzahl der Terminals: 6. Funktion: Fototransistor-Ausgang, mit Basisanschluss

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP6. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 6. Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: NPN-Transistor. Isolationsspannung Uiso [kV]: 5 kV. Rate: 30 %. Nenneingangsstrom (mA): 1mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 16.5us. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 20us. Maximale Ausgangsspannung (V): 70V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +110°C. Optokopplertyp: Allzweck-Optokoppler

CTR: 160...320 %. Diode IF: 60mA. Courant ZF-Diode (Spitze): 3A. Diodenleistung: 70mW. Diodenschwellenspannung: 1.25V. Kollektorstrom: 50mA. Ic(Impuls): 100mA. Ausgang: Transistorausgang mit Basis. Teilung: 2.54mm. Pd (Verlustleistung, max): 70mW. RoHS: ja. Teilung: 7.62mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf (Typ): 4.7us. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-6. Tr: 4.2us. Betriebstemperatur: -55...+110°C. VCBO: 70V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 70V. VECO: 7V. VRRM: 6000V. Anzahl der Terminals: 6. Funktion: Fototransistor-Ausgang, mit Basisanschluss

CTR: 63...125 %. Diode IF: 60mA. Courant ZF-Diode (Spitze): 3A. Diodenleistung: 70mW. Diodenschwellenspannung: 1.25V. Kollektorstrom: 50mA. Ic(Impuls): 100mA. Ausgang: Transistorausgang mit Basis. Teilung: 2.54mm. Pd (Verlustleistung, max): 70mW. RoHS: ja. Teilung: 10.16mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf (Typ): 2.7us. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-6. Tr: 2.5us. Betriebstemperatur: -55...+110°C. VCBO: 70V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 70V. VECO: 7V. VRRM: 6000V. Anzahl der Terminals: 6. Funktion: Fototransistor-Ausgang, mit Basisanschluss

CTR: 100...200 %. Diode IF: 60mA. Courant ZF-Diode (Spitze): 3A. Diodenleistung: 70mW. Diodenschwellenspannung: 1.25V. Kollektorstrom: 50mA. Ic(Impuls): 100mA. Ausgang: Transistorausgang mit Basis. Teilung: 2.54mm. Pd (Verlustleistung, max): 70mW. RoHS: ja. Teilung: 10.16mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf (Typ): 4.7us. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-6. Tr: 4.2us. Betriebstemperatur: -55...+110°C. VCBO: 70V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 70V. VECO: 7V. VRRM: 6000V. Anzahl der Terminals: 6. Funktion: Fototransistor-Ausgang, mit Basisanschluss

CTR: 50...90 %. Ausgang: Transistorausgang mit Basis. Teilung: 2.54mm. RoHS: ja. Teilung: 7.56mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-6. Anzahl der Terminals: 6. VRRM: 3700V. Funktion: Fototransistor-Ausgang, mit Basisanschluss. Spec info: DC-OUT

CTR: 50...90 %. Produktionsdatum: 2014/38. Ausgang: Transistorausgang mit Basis. Teilung: 10.16mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-6. VRRM: 5.3 kV. Anzahl der Terminals: 6. Funktion: Fototransistor-Ausgang, mit Basisanschluss. Spec info: DC-OUT

Funktion: Zero-Cross Optoisolators Triac Driver Output. Ausgang: Triac-Ausgang. Teilung: 2.54mm. RoHS: ja. Teilung: 7.62mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-6. Betriebstemperatur: -40...+85°C. VDRM: 400V. VRRM: 5000V. Anzahl der Terminals: 6. Spec info: 400V Peak, Ift 15mA max

CTR: 200...400 %. Diode IF: 60mA. Courant ZF-Diode (Spitze): 1A. Diodenleistung: 0.1W. Diodenschwellenspannung: 1.2...1.4V. FT: 18us. Kollektorstrom: 50mA. Ausgang: Transistorausgang. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 2.54mm. Pd (Verlustleistung, max): 150mW. RoHS: ja. Teilung: 7.62mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf (Typ): 18us. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-4. Betriebstemperatur: -55...+110°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.1V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 35V. VECO: 6V. VRRM: 5000V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP4. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: NPN-Transistor. Isolationsspannung Uiso [kV]: 5 kV. Rate: 50 %. Nenneingangsstrom (mA): 5mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 18us. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 18us. Maximale Ausgangsspannung (V): 70V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -30°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +110°C. Optokopplertyp: Allzweck-Optokoppler

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP4. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: NPN-Transistor. Isolationsspannung Uiso [kV]: 5 kV. Rate: 80 %. Nenneingangsstrom (mA): 5mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 18us. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 18us. Maximale Ausgangsspannung (V): 70V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -30°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +110°C. Optokopplertyp: Allzweck-Optokoppler

CTR: 50 %. Ausgang: Transistorausgang mit Basis. Anzahl der Terminals: 6. Teilung: 2.54mm. RoHS: ja. Teilung: 7.62mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-6. Betriebstemperatur: -30...+100°C. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 70V. VRRM: 5300V. Spec info: bidirektionaler Eingang

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP6. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 6. Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Antiparallele Infrarot-LED. Ausgangstyp: NPN-Transistor. Isolationsspannung Uiso [kV]: 2.5 kV. Rate: 20 %. Nenneingangsstrom (mA): 10mA. Maximale Ausgangsspannung (V): 100V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C. Optokopplertyp: Optokoppler, AC-Eingang

CTR: 100...300 %. Ausgang: Transistorausgang mit Basis. Anzahl der Terminals: 6. Teilung: 10.5mm. Teilung: 10.16mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-6. VRRM: 7500V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP6. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 6. Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: FET, Analogschalter. Isolationsspannung Uiso [kV]: 5.3 kV. Nenneingangsstrom (mA): 16mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 25us. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 25us. Maximale Ausgangsspannung (V): ±30V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C. Optokopplertyp: Optokoppler, Signalschalter