CNY75A

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10 - 24	0.55€	0.65€
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Set mit 1

CNY75A. CTR: 63...125 %. Diode IF: 60mA. Courant ZF-Diode (Spitze): 3A. Diodenleistung: 70mW. Diodenschwellenspannung: 1.25V. Kollektorstrom: 50mA. Ic(Impuls): 100mA. Ausgang: Transistorausgang mit Basis. Teilung: 2.54mm. Pd (Verlustleistung, max): 70mW. RoHS: ja. Teilung: 7.62mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf (Typ): 2.7us. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-6. Tr: 2us. Betriebstemperatur: -55...+110°C. VCBO: 70V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 70V. VECO: 7V. VRRM: 6000V. Anzahl der Terminals: 6. Funktion: Fototransistor-Ausgang, mit Basisanschluss. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 15:25.

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