Operationsverstärker

Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 13V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 13mV. Stromaufnahme [mA]: 1.4mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: JFET OP-AMP. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Betriebstemperatur: 0...+70°C

Verschiedenes: JFET OP-AMP. Funktion: Operationsverstärker. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -40...+85°C

Technologie: JFET. Rauscharmer Verstärker: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: SO-8. Betriebstemperatur: -40°C...+125°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP14. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 14. Anzahl der Kreise: 4. Bandbreite [MHz]: 3 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 13V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 7.5mV. Stromaufnahme [mA]: 5.6mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Schaltungstyp: Vierfach-Operationsverstärker, universell einsetzbar. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V

RoHS: ja. Anzahl der Kreise: 4. Bandbreite [MHz]: 3 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 13V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 13mV. Stromaufnahme [mA]: 5.6mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Schaltungstyp: Vierfach-Operationsverstärker, universell einsetzbar. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V. Funktion: Operationsverstärker. Anzahl der Terminals: 14. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-14. Betriebstemperatur: 0...+70°C

Technologie: JFET. Rauscharmer Verstärker: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: SO-14

Technologie: JFET. Rauscharmer Verstärker: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: SO-14

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP14. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 14. Anzahl der Kreise: 4. Bandbreite [MHz]: 3 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 13V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 13mV. Stromaufnahme [mA]: 5.6mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Schaltungstyp: Vierfach-Operationsverstärker, universell einsetzbar. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V. Gehäuse (JEDEC-Standard): THD--0.003%

RoHS: ja. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 25. Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: 3MHz Unity-gain bandwidth. Hinweis: THD--0.003%. Hinweis: High Slew Rate--13 V/us Typ. Anzahl der Terminals: 14. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-14. Betriebstemperatur: -40...+85°C. VCC: 36V. Versorgungsspannung: ±18V

Technologie: JFET. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: SO-8

Funktion: SINGLE GENERAL PURPOSE BIFET OP AMPS. Hinweis: Operationsverstärker. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: 0...+70°C

Funktion: SINGLE GENERAL PURPOSE BIFET OP AMPS. Hinweis: Operationsverstärker. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: 0...+70°C

Technologie: JFET. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: SO-8

Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 3 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 13V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 20mV. Stromaufnahme [mA]: 1.4mA. Technologie: JFET. Gehäuse: DIP-8. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Schaltungstyp: Operationsverstärker, für den allgemeinen Gebrauch. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V. Gehäuse (JEDEC-Standard): DIP

Konditionierungseinheit: 100dB. Funktion: Dual-JFET-Operationsverstärker. Hinweis: Operationsverstärker. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: 0...+70°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 3 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 13V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 15mV. Stromaufnahme [mA]: 2.8mA. Schaltungstyp: Doppelter Operationsverstärker für allgemeine Zwecke. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Mindestversorgungsspannung (V): +7V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V

Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 3 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 13V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 20mV. Stromaufnahme [mA]: 2.8mA. Schaltungstyp: Doppelter Operationsverstärker für allgemeine Zwecke. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V. Funktion: Operationsverstärker. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8

Technologie: JFET. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: SO-14. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-14. Betriebstemperatur: 0...+70°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO14. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 14. Anzahl der Kreise: 4. Bandbreite [MHz]: 3 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 13V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 15mV. Stromaufnahme [mA]: 5.6mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Schaltungstyp: Vierfach-Operationsverstärker, universell einsetzbar. Mindestversorgungsspannung (V): +7V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO14. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 14. Anzahl der Kreise: 4. Bandbreite [MHz]: 3 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 13V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 15mV. Stromaufnahme [mA]: 5.6mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Schaltungstyp: Vierfach-Operationsverstärker, universell einsetzbar. Mindestversorgungsspannung (V): +7V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V

RoHS: ja. Anzahl der Kreise: 4. Bandbreite [MHz]: 4 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 16V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 10mV. Stromaufnahme [mA]: 1.4mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Schaltungstyp: Vierfach-Operationsverstärker, universell einsetzbar. Mindestversorgungsspannung (V): +6V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V. Funktion: Operationsverstärker. Anzahl der Terminals: 14. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-14. Betriebstemperatur: 0...+70°C

Technologie: JFET. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: SO-14

Technologie: JFET. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: DIP-14. Betriebstemperatur: -40°C...+85°C. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-14. Betriebstemperatur: -40...+105°C

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO20. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 20. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 7 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 3V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 7.5mV. Stromaufnahme [mA]: 25mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Schaltungstyp: Pufferverstärker, Audio, Stereo. Mindestversorgungsspannung (V): +4.75V. Maximale Versorgungsspannung (V): +5.25V

Technologie: BIMOS. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: SO-8