Operationsverstärker

Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: Udd 4...16V. Hinweis: Transistor für Anwendungen mit geringer Leistung. Anzahl der Terminals: 14. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-14. Betriebstemperatur: -40...+125°C

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Präzisionsbetriebsverstärker. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 1.9 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 2.8V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 3mV. Stromaufnahme [mA]: 2.4mA. Mindestversorgungsspannung (V): +3.8V. Maximale Versorgungsspannung (V): +16V. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Präzisionsbetriebsverstärker. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 1.9 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 2V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.034mV. Stromaufnahme [mA]: 1.5mA. Mindestversorgungsspannung (V): +4.6V. Maximale Versorgungsspannung (V): +16V. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C

Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: Udd 3..16V. Hinweis: Transistor für Anwendungen mit geringer Leistung. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8

Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: Udd 3..16V. Hinweis: Transistor für Anwendungen mit geringer Leistung. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Operationsverstärker, für den allgemeinen Gebrauch. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 0.09..1.7 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.03..3.6V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 10mV. Stromaufnahme [mA]: 1.4mA. Mindestversorgungsspannung (V): +3V. Maximale Versorgungsspannung (V): +16V. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C

Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: Udd 3..16V. Hinweis: Transistor für Anwendungen mit geringer Leistung. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: TS271CN. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8

Schaltungstyp: Operationsverstärker, für den allgemeinen Gebrauch. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 0.09..1.7 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.03..3.6V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 10mV. Stromaufnahme [mA]: 1.4mA. Mindestversorgungsspannung (V): +4V. Maximale Versorgungsspannung (V): +16V. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: Udd 3..16V. Hinweis: Transistor für Anwendungen mit geringer Leistung. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Operationsverstärker, speziell. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 0.09..1.7 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.03..3.6V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 10mV. Stromaufnahme [mA]: 1.4mA. Mindestversorgungsspannung (V): +4V. Maximale Versorgungsspannung (V): +16V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C

Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 75. Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: Hi-bias.. Hinweis: Transistor für Anwendungen mit geringer Leistung. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Doppelter Operationsverstärker für allgemeine Zwecke. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 1.7 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 3.6V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 10mV. Stromaufnahme [mA]: 1.6mA. Mindestversorgungsspannung (V): +3V. Maximale Versorgungsspannung (V): +16V. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Doppelter Operationsverstärker für allgemeine Zwecke. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 1.7 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 3.6V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 10mV. Stromaufnahme [mA]: 1.6mA. Mindestversorgungsspannung (V): +3V. Maximale Versorgungsspannung (V): +16V. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Gehäuse (JEDEC-Standard): ja

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Doppelter Operationsverstärker für allgemeine Zwecke. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 1.7 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 3.6V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 10mV. Stromaufnahme [mA]: 1.6mA. Mindestversorgungsspannung (V): +4V. Maximale Versorgungsspannung (V): +16V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C

RoHS: ja. Bandbreite [MHz]: 2 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 4V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 10mV. Stromaufnahme [mA]: 3.1mA. Mindestversorgungsspannung (V): +3V. Maximale Versorgungsspannung (V): +16V. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: Transistor für Anwendungen mit geringer Leistung. Hinweis: Hi-bias.. Anzahl der Terminals: 14. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-14. Betriebstemperatur: 0...+70°C

RoHS: ja. Bandbreite [MHz]: 2 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 4V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 10mV. Stromaufnahme [mA]: 3.1mA. Mindestversorgungsspannung (V): +3V. Maximale Versorgungsspannung (V): +16V. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: Transistor für Anwendungen mit geringer Leistung. Hinweis: Hi-bias.. Anzahl der Terminals: 14. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-14. Betriebstemperatur: 0...+70°C

Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 75. Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: Hi-bias.. Hinweis: Transistor für Anwendungen mit geringer Leistung. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Doppelter Operationsverstärker für allgemeine Zwecke. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 2 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 3.6V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.5mV. Stromaufnahme [mA]: 1.6mA. Mindestversorgungsspannung (V): +3V. Maximale Versorgungsspannung (V): +16V. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C

Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: Hi-bias.. Hinweis: Transistor für Anwendungen mit geringer Leistung. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Doppelter Operationsverstärker für allgemeine Zwecke. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 2 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 3.6V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.5mV. Stromaufnahme [mA]: 1.6mA. Mindestversorgungsspannung (V): +4V. Maximale Versorgungsspannung (V): +16V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO14. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 14. Schaltungstyp: Vierfach-Operationsverstärker, universell einsetzbar. Anzahl der Kreise: 4. Bandbreite [MHz]: 2 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 4V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.9mV. Stromaufnahme [mA]: 3.1mA. Mindestversorgungsspannung (V): +3V. Maximale Versorgungsspannung (V): +16V. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO14. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 14. Schaltungstyp: Vierfach-Operationsverstärker, universell einsetzbar. Anzahl der Kreise: 4. Bandbreite [MHz]: 2 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 4V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.9mV. Stromaufnahme [mA]: 3.1mA. Mindestversorgungsspannung (V): +3V. Maximale Versorgungsspannung (V): +16V. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP14. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 14. Schaltungstyp: Vierfach-Operationsverstärker, universell einsetzbar. Anzahl der Kreise: 4. Bandbreite [MHz]: 2 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 4V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.9mV. Stromaufnahme [mA]: 3.1mA. Mindestversorgungsspannung (V): +3V. Maximale Versorgungsspannung (V): +16V. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Operationsverstärker mit Doppelmacht. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 0.085 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.03V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 3mV. Stromaufnahme [mA]: 0.02mA. Mindestversorgungsspannung (V): +4V. Maximale Versorgungsspannung (V): +16V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Operationsverstärker mit Doppelmacht. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 0.085 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.03V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 12mV. Stromaufnahme [mA]: 0.017mA. Mindestversorgungsspannung (V): +3V. Maximale Versorgungsspannung (V): +16V. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C

Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: hohe Eingangsimpedanz. Hinweis: extrem geringer Verbrauch. RoHS: ja. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Betriebstemperatur: -40...+85°C