Operationsverstärker

Anzahl der operativen Verstärker: 4. Technologie: JFET. Rauscharmer Verstärker: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: SO-14

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP14. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 14. Schaltungstyp: Vierfach-Operationsverstärker, universell einsetzbar. Anzahl der Kreise: 4. Bandbreite [MHz]: 3 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 13V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 13mV. Stromaufnahme [mA]: 5.6mA. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Gehäuse (JEDEC-Standard): THD--0.003%

RoHS: ja. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 25. Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: 3MHz Unity-gain bandwidth. Hinweis: THD--0.003%. Hinweis: High Slew Rate--13 V/us Typ. Anzahl der Terminals: 14. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-14. Betriebstemperatur: -40...+85°C. VCC: 36V. Versorgungsspannung: ±18V

Technologie: JFET. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: SO-8

Funktion: SINGLE GENERAL PURPOSE BIFET OP AMPS. Hinweis: Operationsverstärker. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: 0...+70°C

Funktion: SINGLE GENERAL PURPOSE BIFET OP AMPS. Hinweis: Operationsverstärker. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: 0...+70°C

Technologie: JFET. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: SO-8

Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 13V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 20mV. Stromaufnahme [mA]: 1.4mA. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Versorgungsspannung min: 5V. Versorgungsspannung max: 36V. Rail-to-Rail-Ausgang: NO. Temperatur Min: 0°C. Temperatur max: 70°C. Information: 1. Serie: TL. Technologie: JFET. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: DIP-8

Konditionierungseinheit: 100dB. Funktion: Dual-JFET-Operationsverstärker. Hinweis: Operationsverstärker. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: 0...+70°C. Serie: TL

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Doppelter Operationsverstärker für allgemeine Zwecke. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 3 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 13V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 15mV. Stromaufnahme [mA]: 2.8mA. Mindestversorgungsspannung (V): +7V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C

Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 13V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 20mV. Stromaufnahme [mA]: 2.8mA. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Gehäuse: DIP8. Anzahl der operativen Verstärker: 2. Bandbreite MHz: 4MHz. Versorgungsspannung min: 5V. Versorgungsspannung max: 36V. Rail-to-Rail-Ausgang: NO. Temperatur Min: n/a. Temperatur max: 70°C. Information: 2. Serie: TL

Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-14. Betriebstemperatur: 0...+70°C. Funktion: Operationsverstärker. Äquivalente: TL084CDT. Anzahl der Terminals: 14. RoHS: ja

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO14. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 14. Schaltungstyp: Vierfach-Operationsverstärker, universell einsetzbar. Anzahl der Kreise: 4. Bandbreite [MHz]: 3 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 13V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 15mV. Stromaufnahme [mA]: 5.6mA. Mindestversorgungsspannung (V): +7V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO14. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 14. Schaltungstyp: Vierfach-Operationsverstärker, universell einsetzbar. Anzahl der Kreise: 4. Bandbreite [MHz]: 3 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 13V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 15mV. Stromaufnahme [mA]: 5.6mA. Mindestversorgungsspannung (V): +7V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C

RoHS: ja. Schaltungstyp: Vierfach-Operationsverstärker, universell einsetzbar. Anzahl der Kreise: 4. Bandbreite [MHz]: 4 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 16V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 10mV. Stromaufnahme [mA]: 1.4mA. Mindestversorgungsspannung (V): +6V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Funktion: Operationsverstärker. Anzahl der Terminals: 14. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-14. Betriebstemperatur: 0...+70°C

Anzahl der operativen Verstärker: 4. Technologie: JFET. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: SO-14

Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-14. Betriebstemperatur: -40...+105°C. Funktion: Operationsverstärker. Produktionsdatum: 2014/40. Anzahl der Terminals: 14. RoHS: ja. Spec info: JFET-INPUT OP AMPS/LINEAR

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO20. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 20. Schaltungstyp: Pufferverstärker, Audio, Stereo. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 7 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 3V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 7.5mV. Stromaufnahme [mA]: 25mA. Mindestversorgungsspannung (V): +4.75V. Maximale Versorgungsspannung (V): +5.25V. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C

Anzahl der operativen Verstärker: 2. Technologie: BIMOS. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: SO-8

Anzahl der operativen Verstärker: 2. Technologie: LINCMOS. Ausgangstyp: Rail-to-Rail-Ausgang. Komponentenfamilie: Operationsverstärker mit extrem geringem Stromverbrauch. Gehäuse: SO-8

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Doppelter Operationsverstärker für allgemeine Zwecke. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 0.82 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.55V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 3mV. Stromaufnahme [mA]: 0.5mA. Mindestversorgungsspannung (V): +4.4V. Maximale Versorgungsspannung (V): +16V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Doppelter Operationsverstärker für allgemeine Zwecke. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 0.71 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.55V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 3mV. Stromaufnahme [mA]: 0.5mA. Mindestversorgungsspannung (V): +4.4V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Doppelter Operationsverstärker für allgemeine Zwecke. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 0.71 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.55V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 3mV. Stromaufnahme [mA]: 0.5mA. Mindestversorgungsspannung (V): +4.4V. Maximale Versorgungsspannung (V): +16V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: TSSOP8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Doppelter Operationsverstärker für allgemeine Zwecke. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 0.71 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.55V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 3mV. Stromaufnahme [mA]: 0.5mA. Mindestversorgungsspannung (V): +4.4V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO14. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 14. Schaltungstyp: Vierfach-Operationsverstärker, universell einsetzbar. Anzahl der Kreise: 4. Bandbreite [MHz]: 0.73 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.55V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 1.5mV. Stromaufnahme [mA]: 0.85mA. Mindestversorgungsspannung (V): +4.4V. Maximale Versorgungsspannung (V): +16V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C