Operationsverstärker

Funktion: SINGLE GENERAL PURPOSE BIFET OP AMPS. Hinweis: Operationsverstärker. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: 0...+70°C

Funktion: SINGLE GENERAL PURPOSE BIFET OP AMPS. Hinweis: Operationsverstärker. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: 0...+70°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Operationsverstärker, für den allgemeinen Gebrauch. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 3 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 13V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 20mV. Stromaufnahme [mA]: 1.4mA. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Gehäuse (JEDEC-Standard): DIP

Konditionierungseinheit: 100dB. Funktion: Dual-JFET-Operationsverstärker. Hinweis: Operationsverstärker. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: 0...+70°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Doppelter Operationsverstärker für allgemeine Zwecke. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 3 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 13V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 15mV. Stromaufnahme [mA]: 2.8mA. Mindestversorgungsspannung (V): +7V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C

RoHS: ja. Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Doppelter Operationsverstärker für allgemeine Zwecke. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 3 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 13V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 20mV. Stromaufnahme [mA]: 2.8mA. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Funktion: Operationsverstärker. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8

Funktion: Operationsverstärker. Äquivalente: TL084CDT. Anzahl der Terminals: 14. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-14. Betriebstemperatur: 0...+70°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO14. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 14. Schaltungstyp: Vierfach-Operationsverstärker, universell einsetzbar. Anzahl der Kreise: 4. Bandbreite [MHz]: 3 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 13V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 15mV. Stromaufnahme [mA]: 5.6mA. Mindestversorgungsspannung (V): +7V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO14. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 14. Schaltungstyp: Vierfach-Operationsverstärker, universell einsetzbar. Anzahl der Kreise: 4. Bandbreite [MHz]: 3 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 13V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 15mV. Stromaufnahme [mA]: 5.6mA. Mindestversorgungsspannung (V): +7V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C

RoHS: ja. Schaltungstyp: Vierfach-Operationsverstärker, universell einsetzbar. Anzahl der Kreise: 4. Bandbreite [MHz]: 4 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 16V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 10mV. Stromaufnahme [mA]: 1.4mA. Mindestversorgungsspannung (V): +6V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Funktion: Operationsverstärker. Anzahl der Terminals: 14. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-14. Betriebstemperatur: 0...+70°C

Funktion: Operationsverstärker. Produktionsdatum: 2014/40. Anzahl der Terminals: 14. RoHS: ja. Spec info: JFET-INPUT OP AMPS/LINEAR. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-14. Betriebstemperatur: -40...+105°C

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO20. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 20. Schaltungstyp: Pufferverstärker, Audio, Stereo. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 7 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 3V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 7.5mV. Stromaufnahme [mA]: 25mA. Mindestversorgungsspannung (V): +4.75V. Maximale Versorgungsspannung (V): +5.25V. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Doppelter Operationsverstärker für allgemeine Zwecke. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 0.82 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.55V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 3mV. Stromaufnahme [mA]: 0.5mA. Mindestversorgungsspannung (V): +4.4V. Maximale Versorgungsspannung (V): +16V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Doppelter Operationsverstärker für allgemeine Zwecke. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 0.71 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.55V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 3mV. Stromaufnahme [mA]: 0.5mA. Mindestversorgungsspannung (V): +4.4V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Doppelter Operationsverstärker für allgemeine Zwecke. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 0.71 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.55V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 3mV. Stromaufnahme [mA]: 0.5mA. Mindestversorgungsspannung (V): +4.4V. Maximale Versorgungsspannung (V): +16V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: TSSOP8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Doppelter Operationsverstärker für allgemeine Zwecke. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 0.71 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.55V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 3mV. Stromaufnahme [mA]: 0.5mA. Mindestversorgungsspannung (V): +4.4V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO14. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 14. Schaltungstyp: Vierfach-Operationsverstärker, universell einsetzbar. Anzahl der Kreise: 4. Bandbreite [MHz]: 0.73 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.55V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 1.5mV. Stromaufnahme [mA]: 0.85mA. Mindestversorgungsspannung (V): +4.4V. Maximale Versorgungsspannung (V): +16V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C

Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: Udd 4...16V. Hinweis: Transistor für Anwendungen mit geringer Leistung. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: 0...+85°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Doppelter Operationsverstärker für allgemeine Zwecke. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 2.18 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 3.6V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 3mV. Stromaufnahme [mA]: 2.2mA. Mindestversorgungsspannung (V): +4.4V. Maximale Versorgungsspannung (V): +16V. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C

Funktion: Operationsverstärker. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Spec info: Low-Power, High-Gain Bandwidth 2.2MHz Typ. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Betriebstemperatur: 0...+85°C. VCC: 4...16V

Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: Udd 4...16V. Hinweis: Transistor für Anwendungen mit geringer Leistung. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -40...+125°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Doppelter Operationsverstärker für allgemeine Zwecke. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 2.18 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 3.6V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 3mV. Stromaufnahme [mA]: 2.2mA. Mindestversorgungsspannung (V): +4.4V. Maximale Versorgungsspannung (V): +16V. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP14. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 14. Schaltungstyp: Vierfach-Operationsverstärker, universell einsetzbar. Anzahl der Kreise: 4. Bandbreite [MHz]: 2.18 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 3.6V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 1.5mV. Stromaufnahme [mA]: 4.4mA. Mindestversorgungsspannung (V): +4.4V. Maximale Versorgungsspannung (V): +16V. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C

Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: Udd 4...16V. Hinweis: Transistor für Anwendungen mit geringer Leistung. Anzahl der Terminals: 14. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-14. Betriebstemperatur: -40...+125°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO14. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 14. Schaltungstyp: Vierfach-Operationsverstärker, universell einsetzbar. Anzahl der Kreise: 4. Bandbreite [MHz]: 2.18 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 3.6V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 1.5mV. Stromaufnahme [mA]: 4.4mA. Mindestversorgungsspannung (V): +4.4V. Maximale Versorgungsspannung (V): +16V. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C