Operationsverstärker

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 1 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 3.5V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 15mV. Stromaufnahme [mA]: 0.2mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Schaltungstyp: Operationsverstärker, für den allgemeinen Gebrauch. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 1 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 3.5V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 15mV. Stromaufnahme [mA]: 0.2mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Schaltungstyp: Operationsverstärker, für den allgemeinen Gebrauch. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V

Technologie: JFET. Geringe Leistung: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: DIP-8. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Betriebstemperatur: 0...+70°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 1 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 3.5V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 15mV. Stromaufnahme [mA]: 0.2mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Schaltungstyp: Operationsverstärker, für den allgemeinen Gebrauch. Mindestversorgungsspannung (V): +7V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V

Funktion: Operationsverstärker. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: 0...+70°C

Technologie: JFET. Geringe Leistung: ja. Gehäuse: SO-8

Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 1 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 3.5V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 15mV. Stromaufnahme [mA]: 0.4mA. Technologie: JFET. Geringe Leistung: ja. Gehäuse: SO-8. Schaltungstyp: Doppelter Operationsverstärker für allgemeine Zwecke. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 1 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 3.5V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 20mV. Stromaufnahme [mA]: 0.4mA. Schaltungstyp: Doppelter Operationsverstärker für allgemeine Zwecke. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Mindestversorgungsspannung (V): +6V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V

Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 1 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 3.5V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 15mV. Stromaufnahme [mA]: 0.4mA. Technologie: JFET. Geringe Leistung: ja. Gehäuse: DIP-8. Schaltungstyp: Doppelter Operationsverstärker für allgemeine Zwecke. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V

Technologie: JFET. Geringe Leistung: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: SO-8

Technologie: JFET. Geringe Leistung: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: SO-8. Betriebstemperatur: -40°C bis +105°C

Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 1 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 3.5V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 15mV. Stromaufnahme [mA]: 0.4mA. Schaltungstyp: Doppelter Operationsverstärker für allgemeine Zwecke. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V. Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: Operationsverstärker. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Betriebstemperatur: -40...+105°C

Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 14. Anzahl der Kreise: 4. Bandbreite [MHz]: 1 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 3.5V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 15mV. Stromaufnahme [mA]: 0.8mA. Technologie: JFET. Geringe Leistung: ja. Gehäuse: SO-14. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Schaltungstyp: Vierfach-Operationsverstärker, universell einsetzbar. Mindestversorgungsspannung (V): +7V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V

Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 14. Anzahl der Kreise: 4. Bandbreite [MHz]: 1 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 3.5V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 20mV. Stromaufnahme [mA]: 0.8mA. Technologie: JFET. Geringe Leistung: ja. Gehäuse: SO-14. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Schaltungstyp: Vierfach-Operationsverstärker, universell einsetzbar. Mindestversorgungsspannung (V): +6V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V

Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 14. Anzahl der Kreise: 4. Bandbreite [MHz]: 1 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 3.5V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 15mV. Stromaufnahme [mA]: 0.8mA. Technologie: JFET. Geringe Leistung: ja. Gehäuse: DIP-14. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Schaltungstyp: Vierfach-Operationsverstärker, universell einsetzbar. Mindestversorgungsspannung (V): +6V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP14. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 14. Anzahl der Kreise: 4. Bandbreite [MHz]: 1 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 3.5V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 15mV. Stromaufnahme [mA]: 0.8mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Schaltungstyp: Operationsverstärker, für den allgemeinen Gebrauch. Mindestversorgungsspannung (V): +7V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 1 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 3.5V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 15mV. Stromaufnahme [mA]: 0.25mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Schaltungstyp: Operationsverstärker, für den allgemeinen Gebrauch. Mindestversorgungsspannung (V): +2.4V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 3 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 13V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 13mV. Stromaufnahme [mA]: 1.4mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Schaltungstyp: Operationsverstärker, für den allgemeinen Gebrauch. Mindestversorgungsspannung (V): +6V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V. Gehäuse (JEDEC-Standard): SO-8

Technologie: JFET. Rauscharmer Verstärker: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: SO-8

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 3 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 13V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 13mV. Stromaufnahme [mA]: 1.4mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Schaltungstyp: Operationsverstärker, für den allgemeinen Gebrauch. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V. Gehäuse (JEDEC-Standard): Leiterplattendurchsteckmontage

Funktion: OP-IC. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Betriebstemperatur: -40...+85°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 3 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 13V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 5mV. Stromaufnahme [mA]: 1.4mA. Schaltungstyp: Doppelter Operationsverstärker für allgemeine Zwecke. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V

RoHS: ja. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 3 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 13V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 3mV. Stromaufnahme [mA]: 1.4mA. Schaltungstyp: Doppelter Operationsverstärker für allgemeine Zwecke. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Mindestversorgungsspannung (V): +6V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V. Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: JFET OP-AMP. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8

Technologie: JFET. Rauscharmer Verstärker: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: SO-8

Technologie: JFET. Rauscharmer Verstärker: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: SO-8